モバイル技術

Qualcommクアルコム Snapdragon835は10nm FinFETプロセスで。QuickCharge4も発表

モバイル向けSoCで最大のシェアを誇るQualcommは次期フラッグシップSoCとしてSnapdragon835という名称と、新しい急速充電規格のQuickCharge4について発表しました。

Snapdragonの次期フラッグシップの名称はSnapdragon830と予想されていましたが、830を跳び越えて835となる模様です。
ただしCPUコアなど詳細等についてはまだ不明のままです。

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製造はSAMSUNGで、10nm FinFETプロセスにより製造されます。

先月、SAMSUNGはこの10nm FinFETプロセスでチップの量産を開始したと発表しています。
より小さなチップを製造するために精度を上げるトリプルパターニングという工程が適用され、14nmと比較して面積効率では最大30%の向上が期待できるとのこと。
来年発売される同社のGalaxyS8にはこの10nmプロセスで製造されたSoCが採用されるとのことですが、これがSnapdragon835か、同社のExynosの新チップか、それとも現行のGalaxyのようにその両方かはわかりません。

またQualcommは、新しい急速充電技術QuickCharge4が、このSnadragon835で採用されます。
QuickCharge4では、現行の規格より20%早く充電が可能となり、USB Type-CやUSB-PDに対応しています。

参考リンク:
Qualcomm公式ニュースリリース:Qualcomm and Samsung Collaborate on 10nm Process Technology For the Latest Snapdragon 835 Mobile Processor

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